规格书 |
|
标准包装 |
1,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
11A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
380 mOhm @ 7A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
5.5V @ 500µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
54nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
1460pF @ 25V |
功率 - 最大 |
125W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
PG-TO263-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
包装 |
3TO-263 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
600 V |
最大连续漏极电流 |
11 A |
RDS -于 |
380@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
130 ns |
典型上升时间 |
35 ns |
典型关闭延迟时间 |
150 ns |
典型下降时间 |
20 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
P( TOT ) |
125W |
匹配代码 |
SPB11N60S5 |
R( THJC ) |
1K/W |
LogicLevel |
NO |
单位包 |
1000 |
标准的提前期 |
14 weeks |
最小起订量 |
1000 |
Q(克) |
54nC |
LLRDS (上) |
n.s.Ohm |
汽车 |
NO |
LLRDS (上)在 |
n.s.V |
我(D ) |
11A |
V( DS ) |
600V |
技术 |
CoolMOS S5 |
的RDS(on ) at10V |
0.38Ohm |
无铅Defin |
RoHS-conform |
FET特点 |
Standard |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
11A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
5.5V @ 500µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
600V |
供应商设备封装 |
PG-TO263-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
380 mOhm @ 7A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
125W |
封装/外壳 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
1460pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
54nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
SPB11N60S5INCT |
工厂包装数量 |
1 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
11 A |
零件号别名 |
SP000012373 SPB11N60S5ATMA1 |
下降时间 |
20 ns |
安装风格 |
SMD/SMT |
产品种类 |
MOSFET |
商品名 |
CoolMOS |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
系列 |
xPB11N60 |
RDS(ON) |
380 mOhms |
功率耗散 |
125 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
35 ns |
漏源击穿电压 |
600 V |